Número do Produto do Fabricante:
TSM100N06CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM100N06CZ C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
49 Pcs Novo Original Em Estoque
12892625
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TSM100N06CZ C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4382 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TSM100
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM100N06CZC0G
TSM100N06CZ C0G-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFB3307PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
491
NÚMERO DA PEÇA
IRFB3307PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.97
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FDP5800
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
916
NÚMERO DA PEÇA
FDP5800-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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